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CN1-6-M-B35D-1-4-E CN2-6-M-B35D-1-4-D-XM170高溫熔體壓力傳感器 變送器 杰佛倫 GEFRAN

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產(chǎn)品名稱：CN1-6-M-B35D-1-4-E CN2-6-M-B35D-1-4-D-XM170高溫熔體壓力傳感器 變送器  杰佛倫 GEFRANwn2廣州南創(chuàng)電子科技有限公司
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杰佛倫CN1-6-M-B35D-1-4-E CN2-6-M-B35D-1-4-D-XM170高溫熔體壓力傳感器 變送器相關(guān)特點: wn2廣州南創(chuàng)電子科技有限公司
GefranCN系列是在高溫環(huán)境中使用的壓力變送器。該系列的主要特點是能夠讀取介質(zhì)的溫度高達400°C。構(gòu)造原理是基于壓力的水力傳遞。流體填充系統(tǒng)保證了溫度的穩(wěn)定性。利用應(yīng)變計技術(shù)將物理測量方法轉(zhuǎn)化為電氣測量方法。wn2廣州南創(chuàng)電子科技有限公司
杰佛倫CN系列產(chǎn)品應(yīng)用：橡塑擠出機、工業(yè)自動化、壓縮機、油齒輪箱、移動液壓系統(tǒng)、土方轉(zhuǎn)運機械、公用事業(yè)車輛、冷凍系統(tǒng)、泵機、材料檢測設(shè)備試驗臺、冷卻器系統(tǒng)、吹塑機等。wn2廣州南創(chuàng)電子科技有限公司
杰佛倫壓力傳感器CN1-6-M-B35D-1-4-E CN2-6-M-B35D-1-4-D-XM170相關(guān)型號詞：wn2廣州南創(chuàng)電子科技有限公司
高溫熔體壓力傳感器變送器；CN1-6-M-B02C-1-4-D；CN1-6-M-B05C-1-4-D；CN1-6-M-B35D-1-4-E；CN2-6-M-B35D-1-4-D-XM170；高溫熔體壓力傳感器變送器；C31-6-M-B07C-1-5-D；C31-6-M-B35D-1-4-D；高溫熔體壓力傳感器變送器；CE1-6-M-B05C-1-4-D；CE1-6-M-B35D-1-4-D；CE2-6-M-B35D-1-4-D；MN 系列高溫熔體壓力傳感器；MN0-6-M-B01C-1-4-0-XMB31；MN1-6-M-B05C-1-4-D；MN1-6-M-B07C-1-4-D；MN1-6-M-B35D-1-4-D；MN1-6-M-B35D-1-4-D-XMB31；MN2-6-M-B01M-1-4-D；MN2-6-M-B35D-1-4-D；MN2-6-M-B35D-1-4-D-XMB31；MN2-6-M-B35D-1-7-D；MN2-6-M-B35D-1-7-D-XMB31；KE系列高溫熔體壓力傳感器；KE1-6-M-B02C-1-4-D-I-P；KE1-7-M-B35D-1-4-D-S-P-E；TK 系列厚膜應(yīng)變壓力傳感器；TK-E-1-E-N01U-M-V；TK-E-1-E-N03U-M-V；TK-E-1-M-B05U-M-V；TK-E-1-M-N03U-M-V；TK-E-1-M-N05U-M-V；TK-N-1-E-B05C-H-V；TK-N-1-E-B35D-H-Vwn2廣州南創(chuàng)電子科技有限公司
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杰佛倫gefran高溫熔體壓力傳感器尺寸圖：wn2廣州南創(chuàng)電子科技有限公司
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意大利杰佛倫gefran高溫熔體壓力傳感器CN1-6-M-B35D-1-4-E的靈敏元件是半導(dǎo)體薄膜，它能夠由單晶硅、多晶硅等運用半導(dǎo)體工藝制造而成。典型的電容式傳感器由上下電極、絕緣體和襯底構(gòu)成。當(dāng)薄膜受壓力作用時，薄膜會發(fā)生必定的變形，因而，上下電極之間的間隔發(fā)生必定的改變，然后使電容發(fā)生改變。但電容式壓力傳感器的電容與上下電極之間的間隔的聯(lián)系對錯線性聯(lián)系，因而，杰佛倫gefran壓力傳感器CN1-6-M-B35D-1-4-E要用具有補償功用的丈量電路對輸出電容進行非線性補償。因為高溫壓力傳感器作業(yè)在高溫環(huán)境下，補償電路會遭到環(huán)境溫度的影響，然后發(fā)生較大的差錯。根據(jù)模型辨認的高溫壓力傳感器，正是為了防止補償電路在高溫環(huán)境下作業(yè)發(fā)生較大差錯而規(guī)劃的，其規(guī)劃方案是把傳感器材與擴大電路別離，經(jīng)過模型辨認來得到所測環(huán)境的壓力。高溫作業(yè)區(qū)溫度可達350℃。傳感器材由鉑電阻和電容式壓力傳感器構(gòu)成。其MEMS工藝如下：高溫壓力傳感器由硅膜片、襯底、下電極和絕緣層構(gòu)成。其中下電極坐落厚支撐的襯底上。杰佛倫gefranCN2-6-M-B35D-1-4-D-XM170變送器電極上蒸鍍一層絕緣層。硅膜片則是運用各向異性腐蝕技能，在一片硅片上從正反面腐蝕構(gòu)成的。上下電極的空隙由硅片的腐蝕深度決議。硅膜片和襯底運用鍵合技能鍵合在一起，CN2-6-M-B35D-1-4-D-XM170壓力傳感器杰佛倫GEFRAN構(gòu)成具有必定穩(wěn)定性的硅膜片電容壓力傳感器［2］。因為鉑電阻耐高溫，且對溫度靈敏，選用鉑電阻，CN1-6-M-B35D-1-4-E高溫熔體壓力傳感器變送器GEFRAN杰佛倫既能夠當(dāng)一般電阻運用，又能夠作為溫度傳感器用以勘探被測環(huán)境的溫度。金屬鉑電阻和硅膜片的參數(shù)為：0℃時鉑電阻值為1000Ω;電阻率為1.0526316&TImes;10-5Ω·cm;密度為21440kg/m3;比熱為132.51J/（kg·K）、熔斷溫度為1769℃，故鉑電阻可加工為寬度為0.02mm;厚度為0.2μm;總長度為3800μm，制造成鋸齒狀，可在幅值為10V的階躍信號下正常作業(yè)。電容式壓力傳感器的上下電極的空隙為3μm、圓形平板電容上下電極的半徑為73μm、其電容值為50pF。wn2廣州南創(chuàng)電子科技有限公司
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